Intel a Micron přicházejí s novou technologií pamětí XPoint

29.07.2015 10:57 | Pavel Trousil + Přidat komentář

Intel a Micron přicházejí s novou technologií pamětí XPoint | foto: CHIP

Společnosti Intel a Micron spustily výrobu nové nevolatilní paměti nazvané XPoint. Má být až tisíckrát rychlejší a odolnější než paměť typy NAND.

Intel a Micron Technology představily novou paměť 3D XPoint. Jde o nevolatilní paměť, tedy paměť, která je nezávislá na napájecím napětí. Technologie 3D XPoint je už ve stadiu výroby. Představuje průlom v oblasti pamětí a jde podle nich o vůbec první novou kategorii počítačové paměti od představení NAND flash v roce 1989.

Právě technologie 3D XPoint v sobě podle výrobců slučuje výkon, hustotu zápisu, nevolatilitu a cenové výhody všech paměťových technologií, které jsou dnes na trhu. Technologie je až tisíckrát rychlejší a má tisíckrát vyšší odolnost než NAND a desetkrát vyšší hustotu zápisu než běžná paměť. Paměť 3D XPoint by tedy měla snížit časovou prodlevu mezi procesorem a daty a dosáhnout tak podstatně rychlejší reakce. Obrovské datové objemy je tam mohou rychle změnit v užitečné informace.

Technologie 3D XPoint je výsledkem desetiletého výzkumu a vývoje. Jde o zcela novou třídu nevolatilní paměti, jež významně snižuje latence a umožňuje uložení podstatně vyšších datových objemů v blízkosti procesoru. Tyto datové objemy jsou přitom dostupné v rychlostech, které dříve u nevolatilních úložných zařízení byly nepředstavitelné. Inovativní architektura křížových bodů bez tranzistorů vytváří trojrozměrnou šachovnici, na níž jsou paměťové buňky situovány do průsečíku řádků, což umožňuje individuální přístup k jednotlivým buňkám. V důsledku toho lze data zapisovat i číst v malých objemech, což vede k rychlejšímu a efektivnějšímu procesu zápisu a čtení. Technologie 3D XPoint bude ještě letos testována u vybraných zákazníků, přičemž společnosti Intel a Micron už vyvíjejí konkrétní produkty, které jsou na této technologii postavené.

Další detaily týkající se technologie 3D XPoint:

Křížová struktura relé – Vertikální vodiče spojují 128 miliard hustě poskládaných paměťových buněk. Každá paměťová buňka uchovává jednu část dat. Tato kompaktní struktura má za výsledek vysoký výkon a hustotu.
Vrstvení – Vedle úzké struktury relé jsou paměťové buňky vrstveny v několika vrstvách. Původní technologie ukládá 128 GB na čip ve dvou vrstvách. Budoucí generace této technologie mohou zvýšit počet paměťových vrstev nad tradiční litografické škálování a tím dál zlepšit systémové funkce.
Selektor – Přístup a následné čtení a zápis k paměťovým buňkám probíhá podle proměnlivého napětí odeslaného na každý selektor. Díky tomu není potřeba tranzistorů, zvyšuje se kapacita a snižují náklady.
Rychle přepínané buňky – Díky malé velikosti buněk, rychle přepínaným selektorům, nízko-latenčnímu křížovému relé a rychlému algoritmu zápisu dokáže buňka přepínat stavy rychleji než kterákoli jiná dnešní technologie nevolatilní paměti.