Chip 04/20: Účinný tuning notebooků nebo domov bez špionů

4bitové SSD disky Samsung

26.10.2018 10:22 | Pavel Trousil

Samsung zahajuje hromadnou výrobu prvních 4bitových SSD disků . Nový 4TB QLC SSD disk dosahuje výkonnostních úrovní odpovídajících 3bitovým SSD diskům a nabízí tedy rychlost čtení 540 MB/s a rychlost zápisu 520 MB/s .

Společnost Samsung Electronics oznámila, že začala hromadně vyrábět první 4bitový (QLC, čtyřúrovňová buňka) pevný SATA disk s nevolatilní flash pamětí (SSD) o kapacitě až 4 TB pro spotřebitelský trh. Cena disků bude 3 890 Kč za 1TB model, 7 890 Kč za 2TB model a 18 390 Kč za 4TB model. Dostupné budou ke konci listopadu. Počet bitů na buňku se tak Samsungu podařilo zvýšit ze tří na čtyři.

Díky novému 4bitovému čipu postavenému na 1Tb technologii V-NAND bude společnost Samsung schopna vyrábět 128GB paměťovou kartu pro chytré telefony, což povede k poptávce po vyšších kapacitách vysoce výkonných paměťových úložišť pro různé aplikace.

Když se však objem dat uložených v jedné paměťové buňce zvýší ze tří bitů na čtyři, vzroste kapacita čipu na jednotku plochy a elektrický náboj (používaný ke zjištění informace ze snímače) se sníží až o 50 procent, což značně znesnadňuje udržení požadovaného výkonu a rychlosti zařízení. Nicméně 4bitový 4TB QLC SATA SSD disk od společnosti Samsung udržuje výkon na stejné úrovni jako 3bitový SSD disk tím, že využívá 3bitový SSD řadič a technologii TurboWrite a současně zvyšuje kapacitu jednotky použitím 32 čipů, to vše na základě 64vrstvé 1Tb technologie V-NAND čtvrté generace .

Do konce letošního roku má Samsung v plánu představit několik 4bitových SSD disků pro spotřebitelský trh, a to s kapacitou 1 TB, 2 TB a 4 TB v široce používaném 2,5palcovém formátu. Společnost Samsung předpokládá, že v letošním roce poskytne podnikovému sektoru M.2 NVMe SSD disky a zahájí hromadnou výrobu 4bitových pamětí postavených na technologii V-NAND páté generace.

Historie hromadné výroby SSD disků společnosti Samsung v bitech na buňku:

Rok výroby	Počet bitů	Technologie	Kapacita čipu	Kapacita disku
2006	1 bit SLC (jednoúrovňová buňka)	70 nm	4 Gb	32 GB
2010	2 bity MLC (víceúrovňová buňka)	30 nm	32 Gb	512 GB
2012	3 bity TLC (tříúrovňová buňka)	20 nm	64 Gb	512 GB
2018	4 bity GLC (čtyřúrovňová buňka)	V-NAND 4. gen.	1 Tb	4 TB