Menu
CHIP Speedtest

PRÁVĚ VYCHÁZÍ

První flash paměť 3D NAND UFS 2.1 s 96 vrstvami

15.10.2018 16:00 | Milan Loucký
První flash paměť 3D NAND UFS 2.1 s 96 vrstvami

Novinka Western Digital pro nastupující generace výkonných smartphonů, tabletů a dalších mobilních zařízení s UFS 2.1 nabízí rychlost náhodného zápisu až 550 MB/s a kapacitu až 256 GB.

Společnost Western Digital uvádí první interní flash paměť (EFD) typu 3D NAND UFS 2.1 využívající 96 vrstev. Úložiště Western Digital iNAND MC EU321 zvyšuje možnosti umělé inteligence (AI), rozšířené reality (AR), focení mobily s více objektivy ve vysokém rozlišení, videa 4K a dalších náročných aplikací u výkonných smartphonů a mobilních zařízení. Nová paměť Western Digital iNAND MC EU321 EFD zajistí špičkový výkon u smartphonů, tabletů, notebooků a dalších zařízení a umožní bezproblémovou práci s těmito zařízeními i v případě, že paměť zařízení bude zaplněna téměř na maximum. To vše díky použité technologii Western Digital 3D NAND s 96 vrstvami, vylepšenému rozhraní UFS 2.1 a architektuře Western Digital iNAND SmartSLC 5.

wdc-ufs-2-1-efd „Mobilní zařízení se stávají centrem našeho každodenního propojeného digitálního života. Rozvíjející se rychlost připojení 5G, videa 4K, rozšířené reality a virtuální reality posílí možnosti smartphonů, tabletů a notebooků. Roste očekávání uživatelů i technologické nároky na lepší práci s mobilními zařízeními,“ říká Oded Sagee, senior director pro produktový marketing společnosti Western Digital. „Naše technologie 3D NAND umožňuje uživatelům začít využívat vyšší kapacitu interní paměti a uspokojit tak nároky na větší objem dat. Navíc, zatímco v případě tradiční architektury paměti, kdy se výkon snižuje s tím, jak se zaplňuje paměť ke svému maximu, Western Digital iNAND MC EU321 EFD je navržena na míru tak, aby udržela stabilní výkon a umožnila uživatelům plynule pokračovat ve vytváření, uchovávání a přehrávání svých digitalizovaných zážitků.“

Očekává se, že v nejbližších letech poroste objem, rychlost a různorodost mobilních dat raketovou rychlostí s tím, jak se bude posilovat význam mobilních zařízení zejména v následujících oblastech:

  • Fotografování a pořizování videa mobilními telefony s více objektivy a ve vysokém rozlišení nebo fotografování za využití umělé inteligence nabídne uživatelům nové možnosti pro vytváření a sdílení digitálního obsahu.
  • Sítě 5G umožní velmi rychlé stahování a poskytnou vysoké rychlosti přenosu dat. Změní se způsob, jakým uživatelé budou pracovat se svými mobilními zařízeními a digitálním obsahem.
  • Umělá inteligence s využitím 5G u mobilních zařízení nabídne možnost zachytit a zpracovat data v reálném čase a v reálném čase je také vyhodnotit.

Podle společnosti Counterpoint Research kapacita průměrné NAND flash paměti vzroste mezi roky 2017 až 2021 o 28 %. Obměna mobilních zařízení za ty s větším displejem, výkonem a propojením pro zábavu ale i pro práci kdekoli na cestách si vyžádá nárůst průměrné kapacity interní paměti zařízení. Všechny nové, datově náročné aplikace budou vyžadovat vyšší kapacitu paměti pro zajištění bezproblémové práce s mobilními zařízeními kdekoli na cestách tak, jak to uživatelé očekávají. V první polovině roku 2018 měly smartphony dodávané na trh o 40 % více interní paměti ve srovnání s polovinou roku 2017. To odpovídá 51 GB na telefon a zvyšuje požadavky na vyšší kapacity a chytřejší ukládací technologie.

Paměť iNAND MC EU321 je nejnovějším přírůstkem do produktové řady iNAND, které důvěřuje většina hlavních výrobců smartphonů a tabletů po celém světě již více jak deset let. Paměť iNAND MC EU321 EFD dosahuje rychlosti sekvenčního zápisu až 550 MB/s a umožňuje uživatelům výjimečně pohodlnou práci. Aktuálně Western Digital dodává svým OEM partnerům tato úložiště do kapacity až 256 GB.

 

 

 

Zajímavosti ze světa IT v e-mailu

Stačí odeslat svoji e-mailovou adresu


Odesláním formuláře souhlasíte se zpracováním svých osobních údajů a užitím pro marketingové účely vydavatelství Burda International CZ s. r. o.

Předplatné / nákup chipu Digitální edice chipu Aktuální vydání