Společnosti Micron Technology a Intel představily novou technologii 3D NAND, což je flash paměť s nejvyšší hustotou zápisu dat na světě. Technologie sestává z přesného vertikálního navršení jednotlivých vrstev datových buněk, čímž bylo dosaženo trojnásobné kapacity proti jiným technologiím typu NAND. To umožňuje uložit více dat na menší místo.
Dvojrozměrná flash technologie NAND se už blíží svým kapacitním limitům, což pro výrobce pamětí představuje výrazný problém. Technologie 3D NAND proto bude mít velice významný dopad na vývoj trhu, neboť udrží vývoj paměťových řešení v souladu s Mooreovým zákonem.
Jedním z nejvýznamnějších aspektů této technologie je paměťová buňka samotná. Intel a Micron se rozhodly použít buňku s plovoucím hradlem, jež je všeobecně používána při výrobě dvojrozměrných pamětí flash. Jde vůbec o první použití této buňky v 3D NAND technologii. Nová technologie 3D NAND používá vertikálního navrstvení buněk ve 32 vrstvách, čímž lze dosáhnout kapacity 256 Gb v dvoúrovňovém (MLC) a 384 Gb v trojúrovňovém (TLC) stavu. Díky tomu bude možné vyrábět SSD disky velikosti žvýkačky o kapacitě přes 3,5 TB a standardní SSD disky o rozměru 2,5 palce o kapacitě přes 10 TB. 256Gb MLC verze 3D NAND je právě testována vybranými partnery, přičemž verze 384Gb TLC bude testována ještě během letošního jara. Obě paměti budou v plné výrobě do posledního kvartálu letošního roku.
