Hybrid Memory Cube (HMC)
Společnosti IBM a Micron Technology oznámily zahájení výroby nového paměťového zařízení využívající 3D technologii TSV (Through-silicon vias). Nové paměti Hybrid Memory Cube (HMC) od firmy Micron jsou vyráběny procesem TSV, který vyvinula společnost IBM, a dosahují patnáctkrát vyššího výkonu, než jaký poskytuje současná technologie.
Paměť HMC využívá technologie TSV k propojení vrstev 3D struktury. TSV jsou vertikální vodivé kanály elektricky spojující jednotlivé vrstvy tvořené samostatnými čipy. Díky technologii je možné kombinovat výkonné paměti DRAM vyvinuté společností Micron. HMC nabízí významné vylepšení. Prototypy HMC například vykazují propustnost až 128 gigabajtů za sekundu (GB/s), zatímco nejlepší dnešní zařízení jsou o řád pomalejší.
HMC rovněž spotřebuje o 70 % méně energie a je i výrazně menší. Ve srovnání s konvenční pamětí o stejné kapacitě vyžaduje jen asi 10 % plochy.
Zásadní posun ve vývoji čipů potvrzují i výsledky nedávné mezinárodní konference IEEE (International Electron Device Meeting). Vědci společnosti IBM na ní odhalili několik průlomových objevů. Ty by mohly vést k zásadním změnám a umožnit další pokrok v podobě vytváření menších a rychlejších počítačových čipů. Vývoj čipů totiž začíná být omezován fyzikálními limity křemíkového tranzistoru. Vědci nyní představili nové materiály a technologie. Paměť Racetrack kombinující přednosti magnetických disků a SSD (Solid State Disk), grafen technologii, která umožní provozovat systémy při vyšších teplotách nebo technologie využívající uhlíkové nanotrubice s tranzistory s kanálem menším než 10 nm.
10 foto
video